外延片PL谱扫描成像仪PL/PLE光致发光谱测量系统
外延片PL谱扫描成像仪用于快速在线检测发光二极管外延片的质量，主要用于发光二极管外延片和芯片生产线．生成高分辨率的图谱和测定薄膜厚度等。本仪器为外延片生产工艺优化控制提供快速可靠的数据反馈．为高效高质量生产提供可靠保证。本成像仪现已成功应用于多条LED外延片生产线上。逐点扫描检测计算机分析计算外延片的积分光强，主波长，峰值波长，光谱半宽等参数以绘图形式显示分布和数据截面分布囤，显示单点光谱显示各个参数的统计结果显示选择范围的各项统计参数可进行局部扫描，并对扫描结果进行去孤立点和去边处理采用白光反射谱测量薄膜厚度并以绘图形式显示分布和数据配备离线数据处理软件本成像仪可靠。结构紧凑。全部检测和数据处理由计算机自动完成。采用用户友好的窗口界面，操作简便。用户仅需最小的培训就可使用。另外可根据不同外延片，选配不同的激光器。

特点

• 高性能、低成本光致发光测量系统

• 宽光谱范围（UV-VIS-NIR）

• 简单的设计和校准

• 低噪声和高PL信号探测灵敏度

• 多激发光源可选

• 容易找到峰值和FWHM参数

• He-Cd 激光器, 325nm, 25mW, TEM 多模式

• 高反射介质镜和支架

• 激光带通滤波器

• 用于聚焦和准直的熔石英透镜组

• 用于激光线屏蔽的截至滤波片组

• 1微米精度的电动XY调节台组

• 2”和4”晶片架

• 小型凹面全息光谱仪

• 1024象素低噪声阵列探测器

• 25mm x 2500mm象素尺寸，16比特，USB接口

• 探测范围：200-1100nm(光栅取决于)

• SMA连接器，直径100mm，光纤接口

• 包括系统控制器，控制和绘图

附加激发源

• Ar-Ion 激光器(488 and 514nm) 50-100mW

• DPSS 激光器(532nm) 100-300mW

• He-Ne 激光器(632.8nm) 20mW

• NIR 激光器(785nm) 100mW

其它探测器

• 线阵CCD 探测器 (2048象素) 400-900nm

• InGaAs 阵列探测器(NIR512象素) 900-1700nm

• 高性能低噪声制冷CCD 探测器(-75C)

• (1024 x 128 或 1024 x 256 象素)

• PMT 探测器组 (190-900nm)

系统空间分辨率（TEMoo模式）

• 50um(一般应用)

• 10um(10x M-plan 透镜)

• 1um 光束尺寸，在微PL或拉曼系统上的100x M-plan 镜头

• 用于低温PL的低温制冷系统