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  HiEtch

Specification :
  Application: SiO2, Si3N4, Al2O3, GaN, GaAs, Si, Pt, PZT.
  Pressure controllable from 1mT ~ 100mT.
  Wafer size up to 200mm.
  900 liter/sec magnetically levitated TMP.

Feature :
  Patented MEICP (Magnetically-Enhanced Inductively Coupled Plasma) technology.
  Can operate in two modes: MEICP Mode and the typical HDP.
  High etching rate.
  Suitable different tough materials.

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