MOCVD金属有机物化学气相沉积是一门制造化合物半导体器件的关键技术。目前在光电方面应用得最成熟得是GaN LED了.全世界MOCVD设备2.32亿美元的市场主要被三家公司瓜分。其中AIXTRON占63%，美国Veeco占22%，日本Nippon Sanso则分得4%的杯羹，剩下的便是Emcore和Nissin Electric公司了。作为一家老牌的MOCVD设备制造商。AIXTRON的MOCVD设备在去年取得了辉煌的成就，其中有七成的设备销往亚洲，在中国的市场份额达75%，迄今超过50台，中国台湾高达80%。氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体，光电转换特性突出，与GaN一道被誉为第三代光电子半导体材料。ZnO具备发射蓝光或近紫外光的性能，有望开发出紫外、绿光、蓝光等多种发光器件。ZnO器件主要包括紫外探测器、LED和半导体激光器（LD）等，将广泛用于光通信网络、光电显示（LCD、PDP、CRT及LED背光等）、光电储存、光电转化和光电探测等领域。ZnO材料的生长与GaN不尽相同。它产生预反应和均匀性双方很难调和的现象。此外，如何利用n型本征ZnO掺杂进而转变成p型ZnO，制备出ZnO薄膜的p-n结结构，是光电器件之关键。
MBE激光分子束外延技术(是近年来发展的一种先进的薄膜生长技术, 在氧化锌薄膜生长的研究中因其独特的优越性显示出越来越强的竞争力.
PLD脉冲激光沉积薄膜是近年来发展起来的使用范围最广,最有希望的制膜技术.
以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物半导体材料，包括本征层GaN、掺杂Si或Mg的n型和P型GaN、InGaN和A1GaN三元膜以及异质结、超晶格、量子阱材料，作为继Si和Ge单质半导体以及GaAs和InP等化合物半导体之后的第三代半导体材料，由于其优异的电学、光学和热学特性，在高温大功率微电子器件、蓝绿和紫色发光器件、信息显示存储和读取等领域有着广阔的应用前景。
　

相关重要测试仪器设备：

霍尔效应分析仪
外延片PL谱扫描成像仪(光致发光PL)
电化学CV分布仪（CV测试仪）
脉冲激光沉积系统（PLD）/大面积PLD系统